Новости рынка российской микроэлектроники. Январь 2019

Российский рынок производства полупроводников остается закрытой областью, информация о новостях которой скорее просачивается, нежели чем поступает. Большинство участников рынка годами практически ничего не сообщают о своих успехах и новых разработках. Частично это объясняется тем, что основной ориентацией российских производителей микроэлектроники остается военная промышленность, космос и атомная энергетика. Тем интереснее отдельные новости, которые дают хоть какое-то представление о событиях на российском рынке микроэлектроники.

Бизнес

Над зеленоградским заводом "Ангстрем" сгущаются тучи. Банк «Зенит», который консолидировал у себя основные долги завода, подает иск в суд, требуя взыскать с завода 921,2 млн руб. Завод "Ангстрем" сильно закредитован, против него подано несколько банкротных исков. Подробнее

Акции Ангстрем-Т сменили держателя. Пока что без банкротства. Подробнее.

Зеленоградский Микрон получил письмо о соответствии по итогам аудита системы управления качеством продукции на соответствие требованиям стандарта IATF 16949:2016. Подробнее.

Микрон начал экспортные поставки продукции для производителей автоэлектроники в Азии. Первые образцы отгружены в Китай и на Тайвань, также ведутся переговоры с заказчиками из Индии. В 2019 году ожидаются скромные объемы продаж - единицы миллионов долларов. Подробнее.

Отечественные процессоры Эльбрус в составе различной компьютерной техники начали поставляться в структуры, не являющиеся госорганами, сообщил Александр Ким, гендиректор МЦСТ. До сих пор компьютеры на базе процессоров Эльбрус приобретали МИД, Минкомсвязи и Минобороны. Подробнее.

Разработки

Завод Ангстрем-Т освоил технологию производства Trench MOSFET. АО «Ангстрем-Т» освоило современную технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET. В данный момент Ангстрем-Т является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа. Силовые Trench MOSFET-транзисторы массово применяются в любой электронной технике, где необходимо преобразовывать и управлять электроэнергией: например, в каждом устройстве, для работы которого используется аккумулятор или блок питания.
В отличие от планарной, технология TrenchMOSFET позволяет достичь качественно более высоких и оптимальных параметров транзисторов. Это даёт возможность конструировать современную электронную технику с высокими показателями энергоэффективности, а также снижать её массу и габариты.
Объем мирового рынка MOSFET транзисторов составляет не менее 6 млрд долларов в год и по оценке аналитиков, он будет стабильно расти еще в течение ближайших десяти лет. Этому способствует рост рынков компьютерной и носимой электроники, развитие робототехники, а также массовый переход на электрический транспорт.

Четыре небольших организации, названия которых не раскрываются, но известно, что они входят в союз “Нейронет”, намерены создать консорциум для разработки доверенного российского нейропроцессора. Для этого ядро и нейросетевой акселератор должны быть разработаны в России. Разработки микросхемы как таковой будет мало, потребуется еще и экосистема - операционная система, средства разработки, библиотека нейросетевых алгоритмов, среда обучения нейросетей. Под силу ли это российскому стартапу в который не входит никто из разработчиков микросхем с опытом?
В мире темой нейросетевых процессоров занимается около двух тысяч компаний. Подробнее

Компания Baikal Electronics представила новую версию SDK для систем на базе процессоров BE-T1000 и отладочных плат BFK. Скачать можно здесь: baikalelectronics.ru. Основные изменения: ядро Linux 4.4.165; добавлена поддержка карт PCI Express с объемом отображаемого региона памяти до 256 МБ (теперь поддерживаются SAPPHIRE Radeon R5 230, Silicon Motion SM768, Nvidia P283, Silicon Motion SM750); в ядре реализована поддержка 64-разрядных операций readq() и writeq(). Подробнее.

Вышло интервью с Алексеем Штыковым, начальником управления по инновационно-производственной деятельности из ПетрГУ, Петрозаводск. Специалисты физтеха занимаются разработками в области твердотельных накопителей на средства федеральной целевой программы. Эти разработки должны помочь партнеру в Калининграде (угадывается GS Group) освоить производство отечественных микроэлектронных модулей памяти, которые заменят импортные. Кроме того, на физтехе уже собирают в одном корпусе накопители объемом 2 ТБ тех же габаритов, что и накопители на 256 ГБ, к середине 2019 года должны появиться опытные образцы. Подробнее.

Пять опытно-конструкторских работ, выполненных ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», приняты комиссией. В рамках ОКР «Визирь 1» разработан и освоен комплект микросхем супервизоров питания с двумя фиксированными каналами и одним настраиваемым каналом. Аналогичный комплект ИМС, но с функциями ручного сброса и сторожевого таймера – результат выполнения ОКР «Визирь 2». Выпускаться будут изделия в металлокерамических корпусах и бескорпусные.
Разработаны конструкция биполярного p-n-р транзистора в металлокерамическом корпусе (ОКР «Трином») и конструкция биполярного n-p-n транзистора в металлокерамическом корпусе (ОКР «Триолет»).
Результаты выполнения ОКР «Десерт-543» – разработка и освоение конструкции микросхемы однократно электрически программируемого постоянного запоминающего устройства емкостью 1 Мбит с питанием 3.0÷3.6 В, устойчивой к СВВФ.
Все ОКР выполнены в рамках Государственной научно-технической программы «Микроэлектроника», проводились с одновременным освоением в серийном производстве. Изделия удовлетворяют требованиям по стойкости к воздействию специальных факторов и востребованы на рынке Российской Федерации. Область применения – техника специального назначения и космические аппараты. Источник.

Встречи и PR

Обзоры сайтов “Ангстрем” и Ангстрем-Т.

28 января Микрон провел в этом году первую открытую экскурсию по производству микроэлектронных компонентов для цифровой экономики для всех, кто интересуется развитием высокотехнологичных индустрий.
Продолжая практику проведения регулярных экскурсий, компания приглашает всех желающих увидеть своими глазами действующую фабрику чипов и чистые комнаты 180 и 90 нм. Посмотреть график проведения мероприятий и записаться на удобную дату можно по ссылке: mikron.ru.

23 января Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова совместно с компанией Mentor, a Siemens Business провели семинар «Проектирование СБИС средствами САПР компании Mentor». Рассматривались, в частности, возможности симуляции СБИС средствами Mentor Questa и Veloce, маршрут разработки аналоговых и смешанных схем, проектирование MEMS средствами Mentor Tanner; верификационные инструменты Mentor Calibre. Подробнее.

За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro